TY  - THES
U1  - Bachelor Thesis
A1  - Elstner, Daniel
T1  - Metallisierung und Durchkontaktierung von Si-Wafern mit Laserunterstützung
N2  - Der  Gegenstand der Arbeit  ist,  Möglichkeiten zur Ablösung konventioneller Siebdruckprozesse durch ein Mikrodosierverfahren zu untersuchen.  Dabei werden Leiterbahnen für die Vorderseitenstruktur und Durchkontaktierungen für rückseitenkontaktierte  Siliziumsolarzellen,  unter Einsatz von Silberpasten,  geschaffen. Es konnten Leiterbahndurchmesser von ca. 80 µm  bei Bahnhöhen von 10-15 µm erreicht werden.  Durch einen  sich  anschließenden Ofenprozess ergaben sich Bahnwiderstände von 230 m /cm. Ein ohmsches Kontaktverhalten der Leiterbahnen zum Silizium konnte durch eine Antireflexschicht hindurch erzeugt werden.  Die Möglichkeit  der  Erzeugung einer  Durchkontaktierung der Vorderseitenkontakte auf die Zellrückseite  mittels  Durchgangsbohrungen 
wurde nachgewiesen. Desweiteren wurde  untersucht, inwieweit der Ofenprozess, der eine Leitfähigkeit der Vorderseitenstruktur hervorruft, durch einen Laserprozess abgelöst werden kann. Versuche zeigten, dass ein Versintern der Leiterbahnstrukturen mittels 
Laser möglich ist. Aus Bahnbreiten von 150 µm und Bahnhöhen von 25 µm ergaben sich Leiterbahnwiderstände von 270 m /cm.
KW  - Wafer , Metallisieren
Y2  - 2012
N1  - Sperrvermerk aufgehoben am 07.12.2015
ER  -