Charakterisierung von mechanischen Spannungen und Defekten an„Through-Silicon-Via“-Strukturen
Characterization of Mechanical Stress and Defects near“Through-Silicon-Via”-Structures
- Diese wissenschaftliche Arbeit befasst sich mit ersten oberflächennahen Spannungsuntersuchungen an TSV-Teststrukturen mittels μ-Raman-Spektroskopie. Es werden verschiedene Ursachen der Spannungen identifiziert. Zusätzlich wird die Beeinflussung des Spannungszustandes durch eine Wärmebehandlung bei Temperaturen von ≤380°C untersucht. Des Weiteren wird die Tiefenabhängigkeit der Spannungen diskutiert und eine Methode zur Erkennung von oberflächennahen Defekten und Delaminierungseffekten an TSVs entwickelt.
Author: | Christian Klewer |
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URN: | urn:nbn:de:bsz:mit1-opus-16248 |
Document Type: | Bachelor Thesis |
Language: | German |
Date of Publication (online): | 2011/12/09 |
Publishing Institution: | Hochschule Mittweida |
Release Date: | 2011/12/09 |
GND Keyword: | Raman-Spektroskopie |
Institutes: | 01 Elektro- und Informationstechnik |
DDC classes: | 540 Chemie |
Open Access: | Frei zugänglich |
Licence (German): | Urheberrechtlich geschützt |