OPUS


Charakterisierung von mechanischen Spannungen und Defekten an„Through-Silicon-Via“-Strukturen

Characterization of Mechanical Stress and Defects near“Through-Silicon-Via”-Structures

  • Diese wissenschaftliche Arbeit befasst sich mit ersten oberflächennahen Spannungsuntersuchungen an TSV-Teststrukturen mittels μ-Raman-Spektroskopie. Es werden verschiedene Ursachen der Spannungen identifiziert. Zusätzlich wird die Beeinflussung des Spannungszustandes durch eine Wärmebehandlung bei Temperaturen von ≤380°C untersucht. Des Weiteren wird die Tiefenabhängigkeit der Spannungen diskutiert und eine Methode zur Erkennung von oberflächennahen Defekten und Delaminierungseffekten an TSVs entwickelt.

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Metadaten
Author:Christian Klewer
URN:urn:nbn:de:bsz:mit1-opus-16248
Document Type:Bachelor Thesis
Language:German
Year of Completion:2011
Publishing Institution:Hochschule Mittweida
Release Date:2011/12/09
GND Keyword:Raman-Spektroskopie
Institutes:01 Elektro- und Informationstechnik
Access Rights:Frei zugänglich
Licence (German):License LogoEs gilt das UrhG

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