OPUS


Charakterisierung von mechanischen Spannungen und Defekten an„Through-Silicon-Via“-Strukturen

Characterization of Mechanical Stress and Defects near“Through-Silicon-Via”-Structures

  • Diese wissenschaftliche Arbeit befasst sich mit ersten oberflächennahen Spannungsuntersuchungen an TSV-Teststrukturen mittels μ-Raman-Spektroskopie. Es werden verschiedene Ursachen der Spannungen identifiziert. Zusätzlich wird die Beeinflussung des Spannungszustandes durch eine Wärmebehandlung bei Temperaturen von ≤380°C untersucht. Des Weiteren wird die Tiefenabhängigkeit der Spannungen diskutiert und eine Methode zur Erkennung von oberflächennahen Defekten und Delaminierungseffekten an TSVs entwickelt.

Download full text files

Export metadata

Additional Services

Share in Twitter Search Google Scholar
Metadaten
Author:Christian Klewer
URN:urn:nbn:de:bsz:mit1-opus-16248
Document Type:Bachelor Thesis
Language:German
Date of Publication (online):2011/12/09
Publishing Institution:Hochschule Mittweida
Release Date:2011/12/09
GND Keyword:Raman-Spektroskopie
Institutes:01 Elektro- und Informationstechnik
Dewey Decimal Classification:540 Chemie
Access Rights:Frei zugänglich
Licence (German):License LogoEs gilt das UrhG