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Metallisierung und Durchkontaktierung von Si-Wafern mit Laserunterstützung

  • Der Gegenstand der Arbeit ist, Möglichkeiten zur Ablösung konventioneller Siebdruckprozesse durch ein Mikrodosierverfahren zu untersuchen. Dabei werden Leiterbahnen für die Vorderseitenstruktur und Durchkontaktierungen für rückseitenkontaktierte Siliziumsolarzellen, unter Einsatz von Silberpasten, geschaffen. Es konnten Leiterbahndurchmesser von ca. 80 µm bei Bahnhöhen von 10-15 µm erreicht werden. Durch einen sich anschließenden Ofenprozess ergaben sich Bahnwiderstände von 230 m /cm. Ein ohmsches Kontaktverhalten der Leiterbahnen zum Silizium konnte durch eine Antireflexschicht hindurch erzeugt werden. Die Möglichkeit der Erzeugung einer Durchkontaktierung der Vorderseitenkontakte auf die Zellrückseite mittels Durchgangsbohrungen wurde nachgewiesen. Desweiteren wurde untersucht, inwieweit der Ofenprozess, der eine Leitfähigkeit der Vorderseitenstruktur hervorruft, durch einen Laserprozess abgelöst werden kann. Versuche zeigten, dass ein Versintern der Leiterbahnstrukturen mittels Laser möglich ist. Aus Bahnbreiten von 150 µm und Bahnhöhen von 25 µm ergaben sich Leiterbahnwiderstände von 270 m /cm.

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Metadaten
Author:Daniel Elstner
Document Type:Bachelor Thesis
Language:German
Year of Completion:2012
Granting Institution:Hochschule Mittweida
Release Date:2015/12/08
GND Keyword:Wafer , Metallisieren
Note:
Sperrvermerk aufgehoben am 07.12.2015
Institutes:03 Mathematik / Naturwissenschaften / Informatik
Access Rights:Innerhalb der Hochschule
Licence (German):License LogoEs gilt das UrhG

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