OPUS


Volltext-Downloads (blau) und Frontdoor-Views (grau)
  • search hit 2 of 1227
Back to Result List

Untersuchungen zum Einfluss physikalischer und chemischer Wechselwirkungen von Nd:YAG Laserimpulsen unterschiedlicher Wellenlängen auf die Markierung von GaAs Halbleiterwafern

Investigations on the influence of physical and chemical interactions of Nd:YAG laser pulses with different wavelengths on the marking of GaAs semiconductor wafers

  • Im Rahmen dieser Arbeit soll untersucht werden, ob sich verschiedene Wafereigenschaften wie Dotierung, Kristallorientierung, Ladungsträgerkonzentration des Wafers oder Oxidschichten, die in der Zeit vor dem Lasermarkieren auf den Wafern entstehen können, eine Auswirkung auf den Markierprozess haben. Im zweiten Teil dieser Arbeit wird untersucht, ob Temperatur und Luftfeuchtigkeit sich auf den Markierprozess bei einer Wellenlänge von 1064 nm auswirken. Hierfür hatte es im Unternehmen Anzeichen gegeben, welche jedoch bislang weder sicher bestätigt, noch ausgeräumt werden konnten. Zudem soll in diesem Punkt eine Korrelation der Erkenntnisse mit der vorhandenen Produktionsschwankung erfolgen. Darüber hinaus findet eine Beurteilung möglicher anderer Einflussfaktoren statt.

Download full text files

  • BA_Eckert_Sven.pdf
    deu

Export metadata

Additional Services

Search Google Scholar

Statistics

frontdoor_oas
Metadaten
Author:Sven Eckert
Advisor:Udo Löschner, Frank Tanneberger
Document Type:Bachelor Thesis
Language:German
Year of Completion:2017
Granting Institution:Hochschule Mittweida
Release Date:2023/09/11
GND Keyword:Wafer; Laserbearbeitung
Note:
Sperrvermerk gelöscht am 30.08.23
Institutes:Ingenieurwissenschaften
DDC classes:621.38152 Halbleitertechnologie, Dünnschichttechnik
Open Access:Innerhalb der Hochschule
Licence (German):License LogoUrheberrechtlich geschützt